日前，在中国工程院主办的“中国工程院信息与电子工程前沿论坛”上，中国工程院院士吴汉明对光刻机、产业链国产化等关键问题进行了分析。吴汉明认为，中国的集成电路产业当下主要面临两大壁垒：政策壁垒和产业性壁垒。前者包括巴统和瓦森纳协议，后者则是世界半导体龙头长期以来积累的专利，形成的专利护城河。
而在整个产业链环节，重点的三大“卡脖子”制造环节包括了工艺、装备/材料、设计IP核/EDA。他表示，在半导体材料方面，我国光刻胶、掩膜版、大硅片产品几乎都要依赖进口；在装备领域，世界舞台上看不到中国装备的身影。
吴汉明强调，自主可控固然重要，但也要认识到集成电路产业是全球性的产业。以EUV光刻机为例，涉及到十多万零部件，需要5000多供应商支撑，其中32%在荷兰和英国，27%供应商在美国，14%在德国，27%在日本，这就体现了全球化技术协作的结果。在其中，“我们有哪些环节拿得住的？是我国研发和产业发展的核心点。”
除了设备方面，晶圆制造、芯片研发设计也是产业所面临的难点。
“虽然芯片的难度和成本一直增加，但趋缓的摩尔定律给追赶者带来机会。”吴汉明分析称，在这些挑战下，先进系统结构、特色工艺和先进封装在芯片制造方面结合运用，芯片制造领域大有可为。
他援引数据称，10纳米节点以下先进产能占17%，83%市场在10纳米以上节点，创新空间巨大。在先进制程研发不占优势的情况下，我国可以运用成熟的工艺，把芯片的性能提升。也正是因此他提出一个观点：本土可控的55nm芯片制造，比完全进口的7nm更有意义。
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