台积电 3nm 工艺进度超前 EUV 工艺获突破：直奔 1nm

与三星在 3nm 节点激进选择 GAA 环绕栅极晶体管工艺不同，台积电的第一代 3nm 工艺比较保守，依然使用 FinFET 晶体管。

与 5nm 工艺相比，台积电 3nm 工艺的晶体管密度提升 70%，速度提升 11%，或者功耗降低 27%。

不论是 5nm 还是 3nm 工艺，甚至未来的 2nm 工艺，台积电表示 EUV 光刻机的重要性越来越高，但是产能依然是 EUV 光刻的难题，而且能耗也很高。

刘德音提到，台积电已经 EUV 光源技术获得突破，功率可达 350W，不仅能支持 5nm 工艺，甚至未来可以用于 1nm 工艺。

按照台积电提出的路线图，他们认为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律，2 年升级一代新工艺，而 10 年则会有一次大的技术升级。